[发明专利]一种抗辐照加固的施密特触发器在审
| 申请号： | 201911337252.2 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110995208A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 资典;谢小东;陈飞翔 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K3/3565 | 分类号： | H03K3/3565 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种抗辐照的施密特触发器，该施密特触发器包括：四个MOS管、两个开关MOS管以及一个辐照加固的反相器。其中，辐照加固的反相器中包含六个MOS管，包括了标准上拉网络、标准下拉网络、加固上拉网络、加固下拉网络、高电平纠错电路、低电平纠错电路六部分。该发明的有益效果为：在LET值达到50Mev·cm |
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| 搜索关键词： | 一种 辐照 加固 施密特触发器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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