[发明专利]一种抑制γ相分布的NiFeGa磁记忆合金丝的制备方法有效
申请号: | 201911294190.1 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN110923509B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 董桂馥;杨浩;孙毓彬;姜春晖;刘慧孜 | 申请(专利权)人: | 大连大学 |
主分类号: | C22C19/03 | 分类号: | C22C19/03;C22C1/02;C22F1/10;B22D11/06 |
代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 胡景波 |
地址: | 116622 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于记忆合金制备技术领域,公开了一种抑制γ相分布的NiFeGa磁记忆合金丝的制备方法。用纯度为99.99%的镍片,99.95%的纯铁片,99.9999%的镓为原料,用感应熔炼炉在氩气的保护气氛下制备试样;得到NiFeGa磁记忆合金丝的原料,原料为棒状圆柱,再将棒状圆柱的原料经高温模具锻造锻得直径为Φ4mm的棒材;获得的NiFeGa磁记忆合金丝Φ4mm棒材原料经超声、干燥、线性步进电机制得NiFeGa磁记忆合金丝。在改善块体合金脆性的同时保持合金丝良好的形状记忆效应,本发明提供的制备方法抑制γ相在合金丝内部的分布,使其在不影响马氏体相变的同时也可以提高合金的韧性。 | ||
搜索关键词: | 一种 抑制 分布 nifega 记忆 合金丝 制备 方法 | ||
【主权项】:
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