[发明专利]一种碳纳米增强铝基导体材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201911197032.4 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN110760720B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 冷金凤;王康;任丙辉;王冉 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C22C21/00 分类号: C22C21/00;C22C1/03;C22C1/06;C22F1/04
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 王翠翠
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种碳纳米增强铝基导体材料及制备方法,氧化石墨烯表面化学生长纳米二氧化硅,高温烧结过程中制备还原氧化石墨烯@二氧化硅碳纳米粉体,采用惰性气体将混合粉末吹入熔体中,搅拌、净化、铸造。石墨烯表面生长二氧化硅纳米质点避免了氧化石墨烯还原过程中团聚反应,降低了石墨烯和铝熔体的润湿角,避免了石墨烯在加入过程中上浮到铝熔体表面及在熔体中发生团聚。石墨烯@二氧化硅增强体具有良好的化学稳定性,和铝锆相共同提升了铝基复合材料的热稳定性。本发明解决了限制导体用铝基复合材料应用过程中的强度和耐热性的不足难题。铸造法生产的铝基复合材料致密度达100%,强度提升25%以上,耐热性提高20‑50℃以上。
搜索关键词: 一种 纳米 增强 导体 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种碳纳米增强铝基导体材料及制备方法,其特征在于,由以下合金组份的质量百分比组成,石墨烯0.01-0.07%,Zr 0.1-0.6%,Fe≤0.08%,Si≤0.04,其余元素每种≤0.01%,余量为Al。/n
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