[发明专利]一种高分子聚合物修饰隔膜、制备方法及应用有效
申请号: | 201911192468.4 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN110854344B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 黄令;王琼;孙世刚 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01M50/403 | 分类号: | H01M50/403;H01M50/414;H01M50/449;H01M50/417;H01M10/052;H01M10/0525;C08F283/06;C08F220/44;C08F220/24 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 杨唯 |
地址: | 361005 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种高分子聚合物修饰隔膜、制备方法及应用,高分子聚合物修饰隔膜包括:隔膜基体和粘附于隔膜基体表面的高分子聚合物层,高分子聚合物层由单体A、单体B和单体C经自由基共聚而成,单体A为丙烯腈或其衍生物,单体B为含氟(甲基)丙烯酸酯或其衍生物,单体C为烷基醇二丙烯酸酯或其衍生物,单体A、单体B和单体C的摩尔比为1:1:0.01‑2。该方法包括:将反应单体在50‑80℃下聚合反应5‑24h,得到聚合液;冷冻干燥聚合液得到固体粉末;将固体粉末配置成质量分数为5%‑30wt%的浆料;将浆料均匀地涂覆于隔膜基体表面,得到高分子聚合物修饰隔膜。本发明还涉及高分子聚合物修饰隔膜在锂金属电池和锂离子电池中的应用。本发明抑制了隔膜局部电流密度过高带来的枝晶生长,提高了电池性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 高分子 聚合物 修饰 隔膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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