[发明专利]一种集成电路ESD保护电路在审
| 申请号： | 201911179913.3 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111262229A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 马树永 | 申请（专利权）人： | 伟芯科技（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子学中的集成电路(IC：Integrated Circuit)静电放电(ESD：Electro‑Static Discharge)保护设计技术领域，提供了一种高可靠性低开启电压低成本的ESD保护电路。本发明采用同时由PMOS(positive channel Metal Oxide Semiconductor：正电荷沟道金属氧化物半导体)和NMOS(negative channel Metal Oxide Semiconductor：负电荷沟道金属氧化物半导体)放电的方式。ESD放电管的栅极驱动信号由PMOS器件和NMOS器件导通分压产生。驱动信号的时间延迟由R(电阻)C(电容)控制，其中R采用PMOS器件或NMOS器件实现。在放电器件PMOS和NMOS栅极并联了反向导通的二极管(D)，增加栅极可靠性。上述设计提高了ESD保护电路的可靠性，降低开启电压并降低了芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
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