[发明专利]基于暗场成像的太赫兹成像方法及装置有效
| 申请号： | 201911152487.4 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110823832B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴世有;刘辉;李超;常超;方广有 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N21/3586 | 分类号： | G01N21/3586 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于暗场成像的太赫兹成像方法及装置，该方法包括准直的太赫兹波束经目标透射后得到第一透射波束；第一透射波束传播距离f后经第一透镜调制后得到第二透射波束；第二透射波束传播距离f后经过频谱面的波束挡板后得到第三透射波束；第三透射波束传播距离f后经第二透镜调制后得到第四透射波束；第四透射波束传播距离f后被太赫兹相机接收后成像。本发明将暗场成像技术引入到太赫兹成像中，结合暗场成像可实现高对比度成像的特点，从而实现太赫兹高对比度成像。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 暗场 成像 赫兹 方法 装置 | ||
【主权项】：
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