[发明专利]基于泡沫镍的自支撑高倍率性能电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于泡沫镍的自支撑高倍率性能电极及其制备方法。所述方法首先采用电沉积的方法在泡沫镍上沉积Ni(OH)2‑Co(OH)2，然后采用水热法制备Na2SeO3溶液，最后将Ni(OH)2‑Co(OH)2/NF，置于Na2SeO3溶液中进行水热反应硒化，制备出CoSe2/NiSe电极。本发明制备方法简单，易于实现，利用Ni(OH)2‑Co(OH)2衍生硒化的方法，调节CoSe2/NiSe的形貌和含量，制得的自支撑电极具有超高倍率性能，在15mA cm‑2的电流密度下，比电容达到17.4F cm‑2，并且当电流密度增大到高达125mA cm‑2时，比电容仍高达11.6F cm‑2，比电容保留率为67％，适用于超级电容器。