[发明专利]一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911088070.6 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110702924A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 沈艳飞;周晴;张袁健 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N33/68 | 分类号： | G01N33/68;G01N27/327 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙斌 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用，该光电化学免疫传感器由Nb9共价结合到C60@PCN‑224修饰后的基底电极上，S100B通过免疫反应特异性结合到Nb9上，Nb82@CNQDs特异性结合到S100B上制得。本发明利用淬灭剂CNQDs对电极基底上的C60@PCN‑224有很好淬灭作用的原理构建了双抗夹心型光电化学免疫生物传感器，用于S100B的检测。本发明与传统的光学等方法相比具有操作简便、技术要求低、反应迅速，价格低廉且易于微型化等特点，将在医学诊断方面发挥重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 光电化学 免疫传感器 特异性结合 免疫生物传感器 制备方法和应用 微型化 共价结合 基底电极 技术要求 双抗夹心 医学诊断 原理构建 传统的 淬灭剂 对电极 种检测 淬灭 基底 修饰 检测 | ||
【主权项】：
1.一种检测S100B的光电化学免疫传感器，其特征在于，由Nb9共价结合到C60@PCN-224修饰后的基底电极上，S100B通过免疫反应特异性结合到Nb9上，Nb82@CNQDs特异性结合到S100B上制得。/n
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