[发明专利]一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路在审
| 申请号： | 201911050483.5 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110649823A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 谭在超;张胜;丁国华;罗寅 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 32206 南京众联专利代理有限公司 | 代理人： | 叶倩 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路，包括脉冲产生器、第一和第二高压MOS管、第一至第三MOS管、第一和第二电阻、RS触发器、第一和第二稳压二极管，第三MOS管的源极引出作为电路的HS端，第二和第三MOS管栅极的共接端引出作为电路的HO端。将第一MOS管采用PMOS管，在HS端信号电平由低电平突变为高电平时，RS触发器的R端下冲信号将开启第一MOS管，将RS触发器的S端电平钳位在高电平，使得R端的下冲信号不会导致HO端误动作。同时引入第一和第二稳压管可很好地保护RS触发器R、S端的电路工作在安全电压范围。因此在本电路中引入第一MOS管及第一和第二稳压管后，可很好的抵制电路HS端电平突变引起的干扰，保证了半桥驱动电路稳定安全地工作。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 半桥驱动电路 稳压管 下冲 脉冲产生器 稳压二极管 高压MOS管 安全电压 稳定安全 信号电平 抗干扰 引入 低电平 高电平 共接端 误动作 电阻 高电 钳位 源极 突变 抵制 保证 | ||
【主权项】：
1.一种控制LLC谐振的抗干扰半桥驱动电路，其特征在于：包括脉冲产生器、第一和第二高压MOS管、第一至第三MOS管、第一和第二电阻、RS触发器、第一和第二稳压二极管，脉冲产生器的输入端输入方波信号，脉冲产生器的输出端分别连接第一和第二高压MOS管的栅极，第一和第二高压MOS管的源极接地，第一和第二高压MOS管的漏极分别连接第一和第二电阻的一端，第一和第二电阻的另一端引出作为HB端，第一MOS管的漏极接在第一高压MOS管的漏极和第一电阻之间，第一MOS管的栅极接在第二高压MOS管的漏极和第二电阻之间，第一MOS管的源极接在第一和第二电阻之间，第一稳压二极管的正极接在第一高压MOS管的漏极和第一电阻之间，第二稳压二极管的正极接在第二高压MOS管的漏极和第二电阻之间，第一和第二稳压二极管的负极均连接HB端，RS触发器的S端连接第一稳压二极管的正极，RS触发器的R端连接第二稳压二极管的正极，RS触发器的输出端连接输出预驱动电路的输入端，输出预驱动电路的输出端连接第二和第三MOS管的栅极，第二MOS管的漏极连接第三MOS管的漏极，第二MOS管的源极连接HB端，第三MOS管的源极引出作为电路的HS端，第二和第三MOS管栅极共接端引出作为电路的HO端。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州锴威特半导体股份有限公司，未经苏州锴威特半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911050483.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
