[发明专利]极紫外光源有效

专利信息
申请号: 201911033324.4 申请日: 2015-06-25
公开(公告)号: CN110784981B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 陶业争;J·T·斯特瓦特四世;J·朱尔;D·布朗;J·M·亚查恩德;A·A·沙夫甘斯;M·A·普尔维斯;A·拉弗格 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H05G2/00 分类号: H05G2/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李兴斌
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的实施例涉及极紫外光源。生成初始辐射脉冲;提取初始辐射脉冲的一段以形成修改辐射脉冲,修改辐射脉冲包括第一部分和第二部分,第一部分在时间上连接到第二部分,并且第一部分的最大能量小于第二部分的最大能量;修改辐射脉冲的第一部分与靶材相互作用以形成修改靶;并且修改辐射脉冲的第二部分与修改靶相互作用以生成发射极紫外(EUV)光的等离子体。
搜索关键词: 紫外 光源
【主权项】:
1.一种生成极紫外(EUV)光的方法,所述方法包括:/n将靶提供到靶位置,所述靶包括在等离子状态时发射EUV光的靶材,所述靶在第一方向上具有200纳米(nm)或更小的范围并且在第二方向上具有300微米(μm)或更大的范围;/n从初始辐射脉冲形成主辐射脉冲,所述主辐射脉冲是具有第一部分和第二部分的单个辐射脉冲,所述第二部分具有基于所述初始辐射脉冲的时间能量分布的时间能量分布并且所述第一部分具有不同于所述初始辐射脉冲的时间能量分布的时间能量分布;以及/n将形成的所述主辐射脉冲朝向所述靶位置引导,以使所述辐射与所述靶相互作用,所述第二部分在所述第一部分之后到达所述靶位置,形成的所述主辐射脉冲在所述靶位置处在平行于所述第一方向的方向上传播,其中:/n形成的所述主辐射脉冲的第一部分与所述靶的相互作用形成修改靶,所述修改靶具有低于所述靶的密度;以及/n形成的所述主辐射脉冲的第二部分与所述修改靶的相互作用将所述修改靶中的至少一些靶材转换为发射EUV光的等离子体。/n
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