[发明专利]一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法在审
申请号: | 201911028429.0 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110771302A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 赵孟良;钟启文;任延靖;李莉;田闵玉 | 申请(专利权)人: | 青海省农林科学院 |
主分类号: | A01C1/00 | 分类号: | A01C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 810000 青海*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本发明公开了一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,包括如下步骤:步骤一,块茎处理切块;步骤二,赤霉素浸泡;步骤三,混合溶液制备;步骤四,浸泡培养处理;步骤五,温室培养;选择带芽眼且并无损伤、腐烂的菊芋块茎,用清水冲洗干净,然后放在干燥遮阳处晾干表面水分,将晾干后的菊芋块茎切成小块,每块带单一芽眼,切块应纵切,从头部向脐部切,小块茎一切为二,中等块茎切为四块,较大块茎先纵向切成两大块,然后再从脐部芽眼切块;称取一定量的赤霉素溶液,加入少量酒精进行溶解,然后加入蒸馏水进行稀释至所需浓度;本发明,极大缩短菊芋块茎萌发的时间,苗期长势较好,出面率高。 | ||
搜索关键词: | 菊芋块茎 芽眼 切块 块茎 晾干 大块 脐部 浸泡 赤霉素 蒸馏水 赤霉素溶液 打破休眠 混合溶液 苗期长势 清水冲洗 温室培养 无损伤 小块茎 称取 稀释 小块 遮阳 纵切 制备 腐烂 发芽 酒精 溶解 | ||
【主权项】:
1.一种快速促进打破休眠后的菊芋块茎发芽的方法,包括如下步骤:步骤一,块茎处理切块;步骤二,赤霉素浸泡;步骤三,混合溶液制备;步骤四,浸泡培养处理;步骤五,温室培养;其特征在于:/n其中在上述的步骤一中,选择带芽眼且并无损伤、腐烂的菊芋块茎,用清水冲洗干净,然后放在干燥遮阳处晾干表面水分,将晾干后的菊芋块茎切成小块,每块带单一芽眼,切块应纵切,从头部向脐部切,小块茎一切为二,中等块茎切为四块,较大块茎先纵向切成两大块,然后再从脐部芽眼切块;/n其中在上述的步骤二中,称取一定量的赤霉素溶液,加入少量酒精进行溶解,然后加入蒸馏水进行稀释至所需浓度,将小块的菊芋块茎放入赤霉素溶液中浸泡10min,取出用纱布吸干表面溶液,用保鲜袋包裹后置于25℃环境下培养24h;/n其中在上述的步骤三中,配备0.5-1mg/kg的三十烷醇溶液,同时配备20-25ppm萘乙酸钠溶液,按照三十烷醇溶液和萘乙酸钠溶液重量比为1∶1放入搅拌容器中充分混合搅拌,制得混合溶液;/n其中在上述的步骤四中,将保鲜袋包裹后培养的小块菊芋块茎取出,放入在混合溶液中继续浸泡4h,然后将小块菊芋块茎放在育苗盘上,将育苗盘错开摞放在催芽室的育苗盘架上,培养24h,保证培养适宜的温湿度条件;/n其中在上述的步骤五中,将培养后的块茎小块放在温室大棚中继续培养,实行双行播种培养,培养前先在温室大棚内开挖10cm左右深的沟,施足底肥,浇足水,水下渗后进行培养,每铺一层块茎小块撒一层湿沙,铺3-5层块茎小块,最后上面盖草苫或麻袋保湿,最后盖土封沟,同时保证培养块茎小块之间的距离,在温室大棚培养期间,定期喷洒催芽生根剂,促进生长,提高成活率,待出苗率达到50%以上时,及时将草苫或麻袋移出,进行引苗,经5-7天,芽长达0.5cm左右后即可炼芽播种。/n
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