[发明专利]空调扇控制电路有效

专利信息
申请号: 201911026951.5 申请日: 2019-10-26
公开(公告)号: CN110701761B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 熊浩;胡鹏;张洋;温长康 申请(专利权)人: 昆明理工大学津桥学院
主分类号: F24F11/88 分类号: F24F11/88;F24F5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650106 云南省昆明市五华区高新*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供空调扇控制电路,其包括电阻R1(1)、热敏电阻RT1(2)、电阻R2(3)、NPN三极管Q1(3)、电阻R3(5)、N沟道MOSFET Q3(6)、电热丝OV1(7)、PNP三极管Q2(8)、电阻R4(9)、N沟道MOSFET Q4(10)、电机M1(11)、电容C1(12)、电阻R5(13)、电机M2(14)、电容C2(15)。本发明温度低时热敏电阻RT1(2)阻值升高,NPN三极管Q1(3)导通,N沟道MOSFET Q3(6)导通,电热丝OV1(7)工作,电机M2(14)带动风扇将热风吹响外面;温度高时热敏电阻RT1(2)阻值降低,NPN三极管Q2(8)导通,N沟道MOSFET Q4(10)导通,电机M1(11)带动风扇转动把冰盘低温吹向机器内部,再由电机M2(14)带动风扇将冷风吹响外面。加热、降温效果均好。
搜索关键词: 空调 控制电路
【主权项】:
1.空调扇控制电路,其特征在于:包括电阻R1(1)、热敏电阻RT1(2)、电阻R2(3)、NPN三极管Q1(3)、电阻R3(5)、N沟道MOSFET Q3(6)、电热丝OV1(7)、PNP三极管Q2(8)、电阻R4(9)、N沟道MOSFET Q4(10)、电机M1(11)、电容C1(12)、电阻R5(13)、电机M2(14)、电容C2(15);所述+5VDC接电阻R1(1)下端、电阻R2(3)上端、NPN三极管Q1(3)集电极、PNP三极管Q2(8)发射极;所述电阻R1(1)上端接热敏电阻RT1(2)上端、NPN三极管Q1(3)基极、PNP三极管Q2(8)基极;所述电阻R3(5)下端接电阻R2(3)下端;所述NPN三极管Q1(3)发射极接电阻R4(9)上端、N沟道MOSFET Q3(6)栅极;所述PNP三极管Q2(8)集电极接电阻R5(13)上端、N沟道MOSFET Q4(10)栅极;所述+24VDC接电热丝OV1(7)上端、电机M1(11)右端、电容C1(12)右端、电机M2(14)上端、电容C2(15)上端;所述N沟道MOSFET Q3(6)漏级接电热丝OV1(7)下端;所述N沟道MOSFET Q4(10)漏级接电机M1(11)左端、电容C1(12)左端;所述地接热敏电阻RT1(2)下端、电阻R3(5)上端、电阻R4(9)下端、电阻R5(13)下端、N沟道MOSFET Q3(6)源极、N沟道MOSFETQ4(10)源极、电机M2(14)下端、电容C2(15)下端;所述发明温度低时热敏电阻RT1(2)阻值升高,NPN三极管Q1(3)导通,N沟道MOSFET Q3(6)导通,电热丝OV1(7)工作,电机M2(14)带动风扇将热风吹响外面;温度高时热敏电阻RT1(2)阻值降低,NPN三极管Q2(8)导通,N沟道MOSFET Q4(10)导通,电机M1(11)带动风扇转动把冰盘低温吹向机器内部,再由电机M2(14)带动风将冷风吹响外面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学津桥学院,未经昆明理工大学津桥学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911026951.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top