[发明专利]一种光模块有效
| 申请号： | 201911011684.4 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110635849B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王洪涛 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/40 | 分类号： | H04B10/40;G06F11/14;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例示出本申请实施例示出一种光模块，在上电时，将存储在于FLASH存储器内的第一用户数据写入RAM存储器。在供电电压高于临界电压时，处理器将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器内的第二用户数据这样可以保证存储在RAM存储器内的用户数据为最新版本的用户数据，同时，当监控到的供电电压低于临界电压时，处理器将RAM存储器存储的第二用户数据写入FLASH存储器。该方案只有在供电电压低于临界电压时才将RAM存储器存储的第二用户数据写入FALSH存储器，有效的减少用户数据写入FALSH存储器的次数，达到延长了微控制芯片内部FALSH存储器使用寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模块 | ||
【主权项】：
1.一种光模块，其特征在于，包括微控制芯片，所述微控制芯片内设置有处理器，FLASH存储器和RAM存储器；/n所述处理器，一端口与所述FLASH存储器连接，用于上电时将存储在所述FLASH存储器内的第一用户数据写入所述RAM存储器，以形成第二用户数据；另一端口与所述RAM存储器连接，用于供电电压高于临界电压时将接收到的第三用户数据替换存储在所述RAM存储器内的第二用户数据，供电电压低于临界电压时将存储在所述RAM存储器内的第二用户数据写入FLASH存储器，以形成第一用户数据；其中，所述第一用户数据为存储在所述FLASH存储器内的用户数据；所述第二用户数据为存储在所述RAM存储器内的用户数据；所述第三用户数据为供电电压高于临界电压时用户输入的用户数据；/n所述FLASH存储器，用于数据的存储，其在断电后仍保持数据，具有有限次数的写入寿命；/n所述RAM存储器，用于数据的存储，其在断电时丢失数据，写入寿命多于所述FLASH存储器的写入寿命。/n
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