[发明专利]PVAm改性OHP薄膜的应用、聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911000338.6 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN110707212B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 张丽;刘应良;曹小飞;曹少魁;徐慎刚;石军 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 郑州豫乾知识产权代理事务所(普通合伙) 41161 代理人: 任伟柯
地址: 450000 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了PVAm改性OHP薄膜在聚合物钙钛矿RRAM器件中的应用,并且还公开了聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法,通过用聚乙烯胺(PVAm)离子部分取代钙钛矿结构中的甲铵离子(MA+),以制备兼具高开关比、长期稳定性和柔性的聚合物钙钛矿RRAM器件。本发明的聚合物钙钛矿RRAM器件表现出快速响应的、稳定可靠的、可循环擦写的非易失阻变特性,未封装器件在环境条件下的电开关比为105,操作电压为‑0.45 V。通过调控限制电流,器件还可实现多阶阻变特性。此外,柔性聚合物钙钛矿RRAM器件表现出良好的弯折耐受性,其在经过100次反复弯折之后仍维持最初的阻变特性。
搜索关键词: pvam 改性 ohp 薄膜 应用 聚合物 钙钛矿 rram 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.PVAm改性OHP薄膜在聚合物钙钛矿RRAM器件中的应用。/n
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