[发明专利]等离子体鞘套3D-FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法有效
| 申请号： | 201910944401.5 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110837688B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 石磊;刘彦明;魏海亮;李小平;姚博 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 西安长和专利代理有限公司 61227 | 代理人： | 李霞 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于电磁场数值计算技术领域，公开了一种等离子体鞘套3D‑FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法，包括：建立分层等离子体鞘套三维总场/散射(TF/SF)几何模型；构建2‑D辅助传播算子，推导2‑D辅助传播算子的FDTD公式以及2‑D辅助传播算子的UPML‑FDTD公式，分析2‑D辅助传播算子的稳定性和色散性；求取TF/SF边界处的平面波场值，对TF/SF边界处的平面波场值进行校正。本发明通过构建三维TF/SF边界上的2‑D辅助传播算子，对TF/SF边界处的平面波场值进行计算，将平面波引入到仿真区域，模拟平面波在等离子体鞘套层中的传播以及研究等离子体非均匀结构对平面波的散射作用。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 fdtd 建模 中总场 散射 平面 波源 产生 方法 | ||
【主权项】：
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