[发明专利]一种高Tr-t在审

专利信息
申请号: 201910930606.8 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN110981480A 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 杨帅;李飞;李景雷;周文龙;王领航;刘金凤;徐卓 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/499 分类号: C04B35/499;C04B35/50;C01G23/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 贺小停
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供的一种高Tr‑t和Tc的铅基<001>C织构压电陶瓷材料及其制备方法,利用(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPbTiO3(PIN‑PSN‑PT)体系作为织构陶瓷粉体,x、y均表示摩尔分数,0.405≤x≤0.445,0.365≤y≤0.405;在<001>C BT模板上进行织构,其主要原理是PIN‑PSN‑PT陶瓷粉体在水平<001>C BT模板上进行定向生长,获得与单晶类似的各向异性的结构,从而获得接近单晶的压电性能,在此基础上结合4R工程畴在非自发极化方向上极化,最终获得高Tr‑t和Tc及较高压电性能的织构陶瓷。
搜索关键词: 一种 base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910930606.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top