[发明专利]晶圆表面平整度检测及不完整曝光单元平整度检测补偿方法

摘要

本发明涉及晶圆表面平整度检测及不完整曝光单元平整度检测补偿方法，涉及半导体集成电路制造技术，对于晶圆表面完整的曝光单元及其范围内检测传感器大于等于2的不完整的曝光单元仍然采用“S”形扫描进行平整度检测，而对于边缘的其范围内检测传感器小于2的不完整的曝光单元，旋转以使得光刻机扫描方向与晶圆上一不完整曝光单元与晶边相切的两点之间的连线趋近于垂直，使多于一条的检测传感器落到不完整的曝光单元内，以补偿给光刻机曝光单元，获得整个晶圆面内精确的平整度信息，减少离焦的发生，确保整个晶圆内曝光后的图形质量。

主权项

1.一种晶圆表面平整度检测方法，其特征在于，包括：/nS1：提供一晶圆，根据曝光程式对晶圆进行曝光以形成多个曝光单元；/nS2：确定晶圆上的完整曝光单元及不完整曝光单元，并计算检测传感器在不完整曝光单元内的条数B，计算公式为B＝A/(a+b)，其中a为每个检测传感器的宽度，b为两相邻检测传感器间的间距，A为曝光单元的边长；/nS3：判断B是否大于等于2，若是则将完整曝光单元及B大于等于2的不完整曝光单元归入第一集合，并进入步骤S4，若否则将B小于2的不完整曝光单元归入第二集合，并进入步骤S5；/nS4：对第一集合中所有的完整曝光单元及B大于等于2的不完整曝光单元采用“S”型扫描，从晶圆最上端到最下端然后再从最下端到最上端一个一个曝光单元进行检测，而得到所有的完整曝光单元及B大于等于2的不完整曝光单元的平整度信息，并反馈给光刻机；以及/nS5：旋转以使得光刻机扫描方向与第二集合中一不完整曝光单元与晶边相切的两点之间的连线趋近于垂直，以使检测传感器在该不完整曝光单元内的条数B≥2，然后对该不完整曝光单元进行检测，得到该不完整曝光单元的平整度信息，反馈给光刻机，并如此逐一得到检测传感器条数B＜2的每一不完整曝光单元的平整度信息，并反馈给光刻机。/n