[发明专利]一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路有效
申请号: | 201910901713.8 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110535460B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 赵国平;梁雪;赵莉 | 申请(专利权)人: | 四川师范大学 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张鹏 |
地址: | 610101 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路,以十字型反铁磁赛道为基本单元,整个赛道均为同种反铁磁材料。该逻辑门电路具有两个输入端,分别命名为输入端A和输入端B,输入端A与输入端B相邻,对应十字型赛道左端和上端的磁性隧道结,赛道右端的隧道结则为输出端。输入端A、输入端B通过局部垂直注入自旋极化电流产生反铁磁斯格明子,并利用自旋极化电流和磁晶各向异性梯度驱动斯格明子。其中,磁晶各向异性梯度由压控磁晶各向异性效应产生。本发明以斯格明子的存在与否分别代表二进制数据的“1”和“0”,充分结合斯格明子受拓扑保护作用的特点,以及反铁磁材料对外磁场不敏感的特性,使得本发明具有较强的稳定性和抗磁干扰能力。 | ||
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【主权项】:
1.一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路,其特征在于,本逻辑门电路为十字型反铁磁赛道,整个赛道均为同种反铁磁材料,位于赛道上的磁性隧道结分别作为输入端和输出端,本逻辑门电路具有两个输入端,分别命名为输入端A和输入端B,输入端A与输入端B相邻,位于十字型赛道的左端和上端,赛道右端隧道结则为输出端;/n在输入端A、输入端B通过局部垂直注入自旋极化电流产生斯格明子,并利用自旋极化电流和磁晶各向异性梯度驱动斯格明子,其中,磁晶各向异性梯度由压控磁晶各向异性效应产生。/n
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