[发明专利]一种高能回馈型负载能量回流泄放电路及其能量泄放方法有效

专利信息
申请号: 201910886586.9 申请日: 2019-09-19
公开(公告)号: CN110601160B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 齐欣;张文庆;郝祖岳;刘云涛;张旌;黄远;李君 申请(专利权)人: 散裂中子源科学中心
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02M1/32
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 李斌
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种高能回馈型负载能量回流泄放电路及其能量泄放方法,该电路包括H桥电路、第一电感、第二电感、晶闸管支路和回馈型负载,H桥电路设有第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT,每个IGBT器件均并联有二级管,每个IGBT器件的C极与二极管的负极相连,每个IGBT器件的E极与二极管的正极相连;第一电感两端分别与第一IGBT的E极、回馈型负载一端连接,第二电感两端分别与第四IGBT的C极、回馈型负载另一端连接;第一IGBT、与第三IGBT并联的二极管,第一电感、第二电感以及回馈型负载形成第一能量消耗路径,晶闸管支路与回馈型负载并联,形成第二能量消耗路径。本发明逆变H桥与晶闸管支路快慢配合完成负载能量泄放、可靠性高,体积小,成本低。
搜索关键词: 一种 高能 回馈 负载 能量 回流 电路 及其 方法
【主权项】:
1.一种高能回馈型负载能量回流泄放电路,其特征在于,包括:H桥电路、第一电感、第二电感、晶闸管支路和回馈型负载;/n所述H桥电路设有第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT,所述第一IGBT的C极与第三IGBT的C极连接,所述第一IGBT的E极与所述第二IGBT的C极连接,所述第三IGBT的E极与所述第四IGBT的C极连接,所述第四IGBT的E极与所述第二IGBT的E极连接,每个IGBT器件均并联有二级管,每个IGBT器件的C极与二极管的负极相连,每个IGBT器件的E极与二极管的正极相连;/n所述第一电感第一端与第一IGBT的E极连接,所述第一电感第二端与回馈型负载一端连接,所述第二电感第一端与第四IGBT的C极连接,所述第二电感第二端与回馈型负载另一端连接;/n所述第一IGBT和第三IGBT导通,所述第二IGBT和第四IGBT关断,所述第一IGBT、与第三IGBT并联的二极管,第一电感、第二电感以及回馈型负载形成第一能量消耗路径;所述晶闸管支路与回馈型负载并联,形成第二能量消耗路径。/n
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