[发明专利]一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器有效
| 申请号： | 201910862413.3 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110657887B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张新;傅海鹏;马凯学 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，包括交叉耦合的两个CMOS晶体管，两个所述CMOS晶体管的栅漏端分别连接在一起，源极接天线，实现两个晶体管之间互相耦合，从而使得由天线耦合到的信号进行交叉耦合，使探测器内部沟道中会激发等离子体振荡；通过改变CMOS晶体管源极和漏极之间的电流，从而实现太赫兹信号的探测。本发明基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，通过晶体管之间的互相耦合，从而可以有效地解决原有探测器结构对于太赫兹信号频率响应不高的问题，从而实现探测器探测地高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 交叉 耦合 结构 赫兹 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，包括交叉耦合的两个CMOS晶体管，两个所述CMOS晶体管的栅漏端交叉连接在一起，源级接天线，实现两个晶体管之间互相耦合，从而使得由天线耦合到的信号进行交叉耦合，使探测器内部沟道中会激发等离子体振荡；通过改变CMOS晶体管源级和漏极之间的电流，从而实现太赫兹信号的探。/n
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