[发明专利]超低损耗微波介质陶瓷有效

专利信息
申请号: 201910828606.7 申请日: 2019-09-03
公开(公告)号: CN110511028B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 李雷;颜涵;陈湘明 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/47
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开的超低损耗微波介质陶瓷,其表达式为SrLa[Ga1‑x(Mg0.5Ti0.5)x]O4(0.2≤x≤0.6)、SrLa[Ga1‑x(Zn0.5Ti0.5)x]O4(0.1≤x≤0.5)及Sr1+xLa1‑xGa1‑xTixO4(0.3≤x≤0.7)。本发明中的微波介质陶瓷具有中等介电常数(21~27)、超低损耗(Qf=71800~134000GHz)及近零的谐振频率温度系数(‑10~10ppm/℃)。本发明提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、天线等关键元器件,并使这些元器件适合更高频率下的应用。
搜索关键词: 损耗 微波 介质 陶瓷
【主权项】:
1.超低损耗微波介质陶瓷,其特征在于:所述的介质陶瓷为具有层状钙钛矿结构的镓基化合物固溶体,其表达式为SrLa[Ga1-x(Mg0.5Ti0.5)x]O4(0.2≤x≤0.6)、SrLa[Ga1-x(Zn0.5Ti0.5)x]O4(0.1≤x≤0.5)或Sr1+xLa1-xGa1-xTixO4(0.3≤x≤0.7)。/n
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