[发明专利]套刻精度修正方法有效
| 申请号： | 201910818292.2 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110531591B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王敏;王海舟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种套刻精度修正方法，包括：提供一形成有掩膜版图形和切割道形成区的掩膜版，并在所述切割道形成区中设置至少8对对准标记；利用曝光机台对所述掩膜版进行曝光；收集曝光区域内所有的对准标记数据；根据所述对准标记数据获取所述曝光区域内的套刻误差数据；根据所述套刻误差数据调整曝光机台的光刻参数以修正套刻精度。在所述切割道形成区中设置至少8对对准标记来获取曝光区域内的套刻误差数据以引入高阶数的修正量，可以在线性修正的基础上实现曝光区域内部的高阶修正，从而减小了套刻误差，提高了套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 精度 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种套刻精度修正方法，其特征在于，包括：/n提供一掩膜版，所述掩膜版上形成有掩膜版图形和切割道形成区；/n在所述切割道形成区中设置至少8对对准标记；/n利用曝光机台对所述掩膜版进行曝光；/n收集曝光区域内的每对对准标记数据；/n根据所述对准标记数据获取所述曝光区域内的套刻误差数据；/n根据所述套刻误差数据调整曝光机台的光刻参数以修正套刻精度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910818292.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种直写式光刻机拼接方法
- 下一篇：图像形成装置以及记录介质
