[发明专利]一种USB type-c负载开关浪涌保护结构在审
| 申请号： | 201910794039.8 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110601161A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 周江云;金学成;潘思铭 | 申请（专利权）人： | 成都市易冲半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 夏琴 |
| 地址： | 610000 四川省成都市天府新区中国(四川)自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及浪涌保护技术领域，公开了一种USB type‑c负载开关浪涌保护结构。负载开关包括一对背靠背连接的第一低压晶体管和高压晶体管，高压晶体管连接负载开关输出端，第一低压晶体管连接负载开关输入端，第一低压晶体管和高压晶体管之间的节点VM与地之间连接一个第二低压晶体管，当负载开关输出端的电压略低于浪涌保护目标钳位电压，先将第一低压晶体管关断，再打开第二低压晶体管将节点VM下拉到接近0V；等待当负载开关输出端的电压达到浪涌保护钳位电压时，打开高压晶体管，将负载开关输出端的浪涌电流通过高压晶体管和第二低压晶体管泻放。上述方案采用负责开关的高压晶体管以及配合使用一个低压管就能实现浪涌保护，大大减少芯片面积，提高了芯片的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 低压晶体管 负载开关 高压晶体管 浪涌保护 钳位电压 输出 芯片 浪涌保护结构 背靠背连接 浪涌电流 集成度 低压管 输出端 输入端 关断 下拉 | ||
【主权项】：
1.一种USB type-c负载开关浪涌保护结构，包括负载开关，其特征在于，还包括浪涌保护控制电路、第二低压晶体管，所述负载开关包括一对背靠背连接的第一低压晶体管和高压晶体管，所述高压晶体管连接负载开关输出端，所述第一低压晶体管连接负载开关输入端，所述第一低压晶体管和高压晶体管之间的节点VM连接第二低压晶体管后接地，所述高压晶体管和第二低压晶体管构成浪涌时的泻放通道；所述浪涌保护控制电路用于控制第一低压晶体管、高压晶体管以及第二低压晶体管的导通与关断。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市易冲半导体有限公司，未经成都市易冲半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910794039.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
