[发明专利]一种半导体器件电阻失配模型修正方法在审
| 申请号： | 201910785194.3 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112434485A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 周天舒 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻的失配模型的修正方法，首先，引入5个电阻工艺失配参数；其次，引入这5个失配参数的随机偏差量；再次，设定这5个失配参数的随机偏差修正因子；通过对这些参数的简化、修正，实现对电阻的器件失配模型进行修正表征，从而获得电阻宽度为W、电阻长度为L以及电阻间距D对电阻器件失配的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电阻 失配 模型 修正 方法 | ||
【主权项】：
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