[发明专利]基于口径场反演的共形阵列低副瓣方向图综合方法及系统有效
| 申请号： | 201910784566.0 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110600890B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 朱庆超;张小林;方佳;金谋平;苗菁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01Q21/00 | 分类号： | H01Q21/00 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于口径场反演的共形阵列低副瓣方向图综合方法及系统，属于微波技术领域，包括以下步骤：S1：口径场反演；S2：单元幅相补偿；S3：加权幅度优化；S4：合成远场方向图。在所述步骤S1和S4中，获取共形阵列天线平面进场数据与合成远场方向图所采用的方法均为分时数据合成的共形阵列测试方法。本发明适用于任意曲面共形阵列天线，大幅度提高了共形阵列天线低副瓣方向图综合效率，为共形阵列天线低副瓣方向图综合提供新途径，并且口径场反演将共形阵列优化转化为平面阵列优化，避免了交叉极化和相位中心不共面的繁琐求解过程，值得被推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 口径 反演 阵列 低副瓣 方向 综合 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.基于口径场反演的共形阵列低副瓣方向图综合方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：口径场反演/n获取共形阵列天线平面近场数据，对数据进行均匀法向加权叠加得到共形阵列天线平面进场数据；根据共形阵列天线扫描方向定义口径场平面，将共形阵列天线平面近场数据反演到口径场平面上；/nS2：单元幅相补偿/n根据各单元在口径场平面的投影位置得到各单元的口径场幅度和相位值，对每个单元进行幅相补偿，使所有单元辐射的电磁波到达口径场平面时幅相一致，各单元补偿的系数为：/n
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