[发明专利]一种四管电压基准电路在审
| 申请号： | 201910775986.2 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110568894A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王东俊;邓乐武;张雷;魏平;张凯 | 申请（专利权）人： | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 51121 成飞(集团)公司专利中心 | 代理人： | 梁义东 |
| 地址： | 610092*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种四管电压基准电路，包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2：所述第一NMOS管MN1与第二NMOS管MN2的漏极连接后接有电源电压；所述第一NMOS管MN1的栅极和源极短接，所述第一PMOS管MP1的源极和衬底短接，所述第二PMOS管MP2的栅极和漏极短接；所述第一PMOS管MP1的栅漏短接并连接第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的衬底；所述第二PMOS管MP2的源极和衬底短接，且两者短接后连接并作为基准电路的输出基准电压。通过超宽温度范围极低功耗的四管电压基准电路，解决了现有带隙基准电路在电源电压低于0.7V开启电压时不能工作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 短接 基准电路 衬底 源极 电源电压 管电压 漏极 带隙基准电路 输出基准电压 开启电压 栅漏短接 低功耗 超宽 | ||
【主权项】：
1.一种四管电压基准电路，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)，其特征在于：/n所述第一NMOS管(MN1)与第二NMOS管(MN2)的漏极连接后接有电源电压VDD；/n所述第一NMOS管(MN1)的栅极和源极短接，所述第一PMOS管(MP1)的源极和衬底短接，所述第二PMOS管(MP2)的栅极和漏极短接，且三者短接后连接并作为基准电路的输出电压VCTAT；/n所述第一PMOS管(MP1)的栅漏短接并连接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的衬底，且三者连接后接地；/n所述第二NMOS管(MN2)的栅源短接，所述第二PMOS管(MP2)的源极和衬底短接，且两者短接后连接并作为基准电路的输出基准电压。/n
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