[发明专利]多通道并行发射光器件及半导体致冷器有效

专利信息
申请号: 201910770605.1 申请日: 2019-08-20
公开(公告)号: CN110530056B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 胡百泉;李林科;林雪枫;胡定坤;吴天书;杨现文;张健 申请(专利权)人: 武汉联特科技股份有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 代婵
地址: 430000 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及了一种多通道并行发射光器件及半导体致冷器,半导体致冷器的冷面的面积完全覆盖热面的面积,且热面、冷面呈水平设置时,冷面的边缘与热面的边缘之间具有水平距离,正、负电极固定在冷面的第二表面上。将这种结构的半导体致冷器设置在BOX封装的管壳内,管壳的内壁底面设有用于安装半导体致冷器的凹槽,半导体致冷器的热面固定在凹槽的槽底,半导体致冷器的冷面下端与管壳之间设有绝缘低导热密封圈,使管壳、绝缘低导热密封圈、半导体致冷器的冷面形成一个密闭空间,以达到TEC局部气密的效果,不需要TEC本体进行防水膜,可以保证TEC工作在非气密环境。
搜索关键词: 通道 并行 发射 器件 半导体 致冷
【主权项】:
1.一种半导体致冷器,其特征在于:包括正、负电极、热面、冷面以及固定在热面的第一表面与冷面的第一表面之间的多个热敏元件,所述冷面的面积完全覆盖热面的面积,且热面、冷面呈水平设置时,冷面的边缘与热面的边缘之间具有水平距离,所述正、负电极固定在冷面的第二表面上。/n
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