[发明专利]微同轴垂直互连结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910749336.0 申请日: 2019-08-14
公开(公告)号: CN110444971B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 史光华;王建;徐达;周彪;常青松;要志宏;王真;苏彦文;丁珂;刘建更;杜伟;郭建 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01R24/38 分类号: H01R24/38;H01R24/50;H01R12/73;H01R43/16
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 付晓娣
地址: 050051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明适用于射频/微波模块封装技术领域,提供了一种微同轴垂直互连结构,包括:垂直内导体、垂直外导体和介质连接体;垂直内导体置于垂直外导体内部,垂直内导体与垂直外导体同轴且互不接触,垂直内导体和垂直外导体均包括至少两层;介质连接体设置在垂直内导体与垂直外导体的层间,且中部位于相邻两层垂直内导体之间、边缘位于相邻两层垂直外导体之间,用于连接垂直内导体和垂直外导体。本发明提供的微同轴垂直互连结构,结构简单,通过同轴的垂直内导体和垂直外导体传输微波/毫米波信号,减少了传输损耗,提高了应用频率的范围,适用于频率范围更广的毫米波高频超宽带产品封装中的垂直互连。
搜索关键词: 同轴 垂直 互连 结构 制备 方法
【主权项】:
1.一种微同轴垂直互连结构,其特征在于,包括垂直内导体、垂直外导体和介质连接体;所述垂直内导体置于所述垂直外导体内部,所述垂直内导体与所述垂直外导体同轴且互不接触,所述垂直内导体和所述垂直外导体均包括至少两层;所述介质连接体设置在所述垂直内导体与垂直外导体的层间,且中部位于相邻两层垂直内导体之间、边缘位于相邻两层垂直外导体之间,用于连接所述垂直内导体和垂直外导体。
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