[发明专利]一种基于SiC MOSFET的三电平变换器在审
| 申请号： | 201910729813.7 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110492772A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 吴鸣;宋振浩;郑楠;吕志鹏;孙丽敬;季宇;熊雄;寇凌峰 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/487 | 分类号： | H02M7/487;H02M1/12 |
| 代理公司： | 11271 北京安博达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐国文<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种基于SiC MOSFET的三电平变换器，所述三电平变换器的每一相均包括并联的上桥臂与下桥臂，且所述上桥臂与下桥臂通过电感器连接；每个桥臂由两个SiC MOSFET构成。本发明提供的技术方案能够降低三电平变换器的损耗、提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 三电平变换器 上桥臂 下桥臂 电感器 并联 桥臂 | ||
【主权项】：
1.一种基于SiC MOSFET的三电平变换器，其特征在于，所述三电平变换器的每一相均包括并联的上桥臂与下桥臂，且所述上桥臂与下桥臂通过电感器连接；/n其中，每个桥臂由两个SiC MOSFET构成。/n
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