[发明专利]一种边缘损伤纵深的计算方法及装置在审
| 申请号： | 201910707109.1 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110333251A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张婉婉;文英熙 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N1/32;G01B11/22 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种边缘损伤纵深的计算方法及装置，边缘损伤纵深的计算方法包括：对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；每次抛光处理后对待检测表面进行蚀刻处理；根据每次待检测表面的蚀刻处理结果，确定待检测硅片的损伤纵深，损伤纵深为损伤界面到靠近损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。其中损伤纵深可以用于表示待检测硅片边缘处的损伤深度，可以解决现有的损伤测定方法无法测定硅片边缘处的损伤深度的问题，进而可以获得高品质的硅片，以满足半导体的日益高度集成化的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 损伤 纵深 待检测表面 边缘损伤 硅片 计算方法及装置 硅片边缘 蚀刻处理 检测 待检测样品 垂直距离 高度集成 检测表面 检测样品 抛光处理 边缘处 次抛光 高品质 预设 半导体 切割 | ||
【主权项】：
1.一种边缘损伤纵深的计算方法，其特征在于，包括：对待检测样品的待检测表面进行n次抛光处理，使得所述待检测表面能够显现损伤界面，n为大于或等于1的整数；其中所述待检测样品是在待检测硅片上靠近边缘处沿着预设方向切割得到；每次抛光处理后对所述待检测表面进行蚀刻处理；根据每次所述待检测表面的蚀刻处理结果，确定所述待检测硅片的损伤纵深，所述损伤纵深为所述损伤界面到靠近所述损伤界面一侧处的边缘的垂直距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910707109.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
