[发明专利]一种高Hk有效

专利信息
申请号: 201910671591.8 申请日: 2019-07-24
公开(公告)号: CN110444383B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 孙威;张鹏杰;李炳山;张威峰;全小康;胡国辉;王峰;熊君;刘冬;王继全;魏汉中 申请(专利权)人: 北矿磁材(阜阳)有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/055
代理公司: 北京化育知识产权代理有限公司 11833 代理人: 尹均利
地址: 236000 安徽省阜阳市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高Hk钐钴烧结永磁体的制备方法,采用分级固溶法,包括如下方法步骤:一级固溶:将烧结后的钐钴生坯置于1175‑1200℃条件下固溶处理0.5‑2h;二级固溶:以0.5‑10℃/min速率冷却或加热到1160‑1185℃,然后固溶处理0.5‑2h;三级固溶:以0.5‑10℃/min速率冷却或加热到1145‑1170℃,然后固溶处理0.5‑2h;四级固溶:以0.5‑10℃/min速率冷却或加热到1130‑1155℃,然后固溶处理0.5‑2h;本发明一种高Hk钐钴烧结永磁体的制备方法,采用分级固溶,通过四级固溶处理,增加了富Cu的1:5H胞壁相所占的体积分数,从而大幅增加了膝点矫顽力Hk,同时,采用加热条件下、抽气‑充气循环烘干方法,不仅避免了钐钴磁粉的高温氧化,还大幅度提高了烘干效率,降低了生产成本。
搜索关键词: 一种 base sub
【主权项】:
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