[发明专利]一种Ti-Mg合金涂层及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910666376.9 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110408894B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 魏先顺;董悦;沈军 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/16;C23C14/02;C22C23/00;C22C14/00;A61L27/30;A61L27/50;A61L27/58 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 褚明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ti‑Mg合金涂层及其制备方法与应用。所述Ti‑Mg合金涂层为Ti‑Mg过饱和固溶体结构，具有高生物相容性和低降解速率。本发明的Ti‑Mg合金涂层是采用多弧离子镀技术制备，其中原材料靶材选用工业纯度的钛靶和镁靶。本发明通过调控多弧离子镀的制备参数，在保证其形成过饱和固溶体的基础上，提高了材料在模拟人体体液的耐蚀性和生物相容性，有利地降低了涂层的降解速率，特别适用于目前医用骨修复材料的高耐腐蚀性和低降解速率的服役要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ti mg 合金 涂层 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种Ti‑Mg合金涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以钛和镁金属作为靶材，将靶材分别放置在多弧离子镀设备腔体内的两个位置，要求位置呈一定角度，达到共沉积的目的；(2)将单晶硅基片放于两靶中间的位置，使之可以充分接触到靶材蒸发的金属离子；(3)将多弧离子镀设备抽真空；(4)在炉腔内充入保护气，进行辉光清洗；(5)进行弧光清洗；(6)开始镀覆Ti‑Mg合金涂层，具体参数为，钛靶电流50～60A，真空度0.8～5.5Pa，Ar气流量20～30sccm，基体负偏压200‑600V，占空比20～50％，镁靶电流45‑60A，从而获得Ti‑Mg合金涂层，所述Ti‑Mg合金涂层为Ti‑Mg过饱和固溶体结构。
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