[发明专利]一种斜生栅藻高密度培养方法有效
| 申请号： | 201910656523.4 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110205246B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张聪颖;彭瑞冰;吴盛涛;毛忠键;周鹏;蒋霞敏 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C12N1/12 | 分类号： | C12N1/12;C12R1/89 |
| 代理公司： | 青岛海昊知识产权事务所有限公司 37201 | 代理人： | 曾庆国 |
| 地址： | 315200 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种斜生栅藻培养基，包括以下质量浓度的各组分：KNO |
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| 搜索关键词： | 一种 斜生栅藻 高密度 培养 方法 | ||
【主权项】：
1.一种斜生栅藻培养基，其特征在于，包括以下质量浓度的各组分：KNO3 200‑300mg/L；KH2PO4 3.5‑7.0mg/L；FeCl3 1.0‑1.5mg/L；NaHCO3 0.12‑0.17g/L；Na2EDTA 10mg/L；MnSO4 0.25mg/L。
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