[发明专利]一种高比容量钠硫电池正极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910648004.3 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110429250B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张永光;王加义 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/39 |
| 代理公司： | 天津市尚文知识产权代理有限公司 12222 | 代理人： | 刘瑞芳 |
| 地址： | 526060 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高比容量钠硫电池正极材料及其制备方法。所述正极材料为硫‑钴掺杂二氧化钛/碳纳米管复合材料，其制备过程包括，首先通过水热法制备钴掺杂二氧化钛纳米片，再通过气相沉积法在其表面生长碳纳米管，最后利用球磨和热融法掺硫制备硫‑钴掺杂二氧化钛/碳纳米管复合材料。本发明向正极材料中引入钴掺杂二氧化钛纳米片，为电化学反应提供了更多的活性位点，促进了反应的进行，提升了钠硫电池整体的电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 电池 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高比容量钠硫电池正极材料，所述正极材料为硫‑钴掺杂二氧化钛/碳纳米管复合材料，其特征在于，所述硫‑钴掺杂二氧化钛/碳纳米管复合材料的制备过程为，首先通过水热法制备钴掺杂二氧化钛纳米片，再通过气相沉积法在制得的钴掺杂二氧化钛纳米片表面生长碳纳米管得到钴掺杂二氧化钛纳米片/碳纳米管复合材料，最后利用球磨和热融工艺在钴掺杂二氧化钛纳米片/碳纳米管复合材料中掺硫，制得硫‑钴掺杂二氧化钛/碳纳米管复合材料。
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