[发明专利]一种Ag/ZnS纳米复合SERS基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201910589580.5 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110186903B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈雷;马宁;冯静东;孙艳涛;刘洋;张永军 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 李泉宏 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Ag/ZnS纳米复合SERS基底，属于纳米复合材料技术领域，本发明引入了具有较宽带隙的半导体ZnS与Ag接触，以修饰4‑巯基苯甲酸(4‑MBA)作为探针，通过调控半导体ZnS的带隙结构、表面缺陷态以及表面电子态等特性，调控激发波长得到SERS效应，来探究模型中的光电性质。金属表现出占据最高费米能级的自由电子向吸附分子传输电荷的特性以及大量的结合电子部分，都得以改变自由电子的光学特性。半导体能带与分子能级之间的相互作用会导致新的电荷转移行为产生。这些光电特性都为我们的研究提供了良好的佐证，更好的理解SERS增强机制中界面处的电荷转移过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ag zns 纳米 复合 sers 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ag/ZnS纳米复合SERS基底，其特征在于，该基底是以直径200nm具有二维有序的六方密排周期性聚苯乙烯胶体球阵列表面上共溅射Ag与ZnS得到的；Ag与ZnS的复合的摩尔比为1:(2～10)。
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