[发明专利]一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺

摘要

本发明公开了一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺，该工艺通过使用不同种类的胶带以及改变胶带处理次数等参数来调控场发射点，并使用砝码压实的手段让胶带和待处理场发射阴极薄膜贴合更加紧密，最大限度地发挥出胶带处理改善场发射性能的作用，达到改善阴极形貌、降低场屏蔽效应并最终提高场发射性能的目的。实验结果证实，本发明提出的工艺对提高场发射性能有着极大的作用，再通过选择最优的胶带处理次数等工艺参数能有效地降低场发射器件的开启和阈值电场强度，从而获得性能优异的场发射器件。

主权项

1.一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺，其特征在于，该工艺具体包括以下步骤：步骤1：胶带处理(1)胶带的预处理将选好的胶带撕开2～10cm，在表面干净平整的物体或在胶带自身上将其反复地粘10～500次，通过改变胶带预处理的次数，改变胶带的粘附力；(2)阴极薄膜的胶带粘撕处理将处理好的胶带均匀平整地贴到场发射阴极薄膜上，放置50～1000g重的砝码，使胶带均匀、平整地覆盖住场发射阴极薄膜，再揭下；其中，所述阴极薄膜包括但不限于碳纳米管、石墨烯、碳化硅、氧化锌低维纳米材料或其复合物；步骤2：测试阴极薄膜的场发射性能将胶带处理后的场发射阴极薄膜组装成场发射器件，置于真空系统中测试场发射性能，连接电路，记录电流和电压值，计算电流密度和电场强度；结果表明，场发射阴极器件的开启电场从未进行胶带处理时的2.39V/μm降至1.51～2.06V/μm，阈值电场由未进行胶带处理时的3.13V/μm降至1.71～2.59V/μm。