[发明专利]基于光学设计高红外吸收层的红外探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910551821.7 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110186576A 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 侯海港;黄清伟;乔冠军 申请(专利权)人: 镇江爱豪科思电子科技有限公司
主分类号: G01J5/12 分类号: G01J5/12;H01L35/32;H01L35/34
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 陈佳佳
地址: 212009 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种基于光学设计高红外吸收层的红外探测器及其制备方法。红外探测器第一部分为光学部分,包括第一SiO2层和第二Ge层,光学设计后,提高了红外光谱的透射率,增强了第二部分的红外吸收;第二部分为热电部分,包括第一Si3N4层,第二SiO2层,第三Al层,第四SiO2层以及第五N型多晶硅层;第三部分为支撑层部分,包括SiO2层。第二热电部分,第三Al层为热电偶,同时也构成反射层;第一Si3N4层和第二SiO2层不仅为绝缘层,同时为红外吸收层;第三Al层,第四SiO2层以及第五N型多晶硅层构成热电偶;光学设计后,光学干涉实现高红外吸收,在9‑14μm波段的平均红外吸收率高达90%以上。
搜索关键词: 光学设计 红外探测器 红外吸收层 红外吸收 热电偶 热电 制备 绝缘层 红外吸收率 光学干涉 红外光谱 反射层 透射率 支撑层 波段
【主权项】:
1.基于光学设计高红外吸收层的红外探测器,其特征在于,自上至下分为三大部分;第一部分为光学部分,包括第一SiO2层和第二Ge层;第二部分为热电部分,包括第一Si3N4层,第二SiO2层,第三Al层,第四SiO2层以及第五N型多晶硅层;第三部分为支撑层部分,包括SiO2层。
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