[发明专利]一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器在审
| 申请号： | 201910547673.1 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110289829A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，包括衬底层，所述衬底层的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有压电薄膜层；所述压电薄膜层上设置第二电极层，所述第二电极层的上方设置有手性结构阵列；该基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，通过在薄膜体声波谐振器上设置手性结构阵列，手性结构阵列对不同偏振态的圆偏振光吸收不同，这样会对薄膜体声波谐振器的谐振波长的改变不同，从而实现圆偏振光的偏振态探测。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜体声波谐振器 圆偏振光 偏振态 手性结构 探测器 压电薄膜层 第二电极 第一电极 衬底层 谐振波长 探测 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种基于薄膜体声波谐振器的圆偏振光的偏振态探测器，其特征在于：包括衬底层（1），所述衬底层（1）的上方设置有第一电极层（2），所述第一电极层（2）的上方设置有压电薄膜层（3）；所述压电薄膜层（3）上设置第二电极层（4），所述第二电极层（4）的上方设置有手性结构阵列（5）。
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