[发明专利]半导体激光光源在审
| 申请号： | 201910546500.8 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110289555A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘安金;杨礴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/42;H01S5/187 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光光源，该半导体激光光源包含一个或者多个激光器单元组成的二维半导体面发射激光器阵列，其中的单个激光器单元包括：衬底；在衬底上设置的激光发光区，输出功率监测区，耦合输出区，和电极；以及光束整形区，设置于耦合输出区上方。本发明提供的该半导体激光光源具有大功率输出、可实时监测、圆形光束、易于模式控制、能够二维阵列集成的优势，克服了垂直腔面发射激光器功率受限和材料外延生长困难的问题，容易实现工作波长从200纳米到500微米的半导体面发射激光器阵列，可以用于激光雷达、人脸识别、激光照明、激光泵浦和材料加工等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光光源 激光器单元 耦合输出 衬底 半导体面发射激光器 垂直腔面发射激光器 面发射激光器 二维半导体 材料加工 材料外延 二维阵列 工作波长 功率受限 光束整形 激光泵浦 激光雷达 激光照明 模式控制 人脸识别 实时监测 输出功率 圆形光束 电极 发光区 监测区 激光 输出 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光光源，其特征在于，所述半导体激光光源包含一个或者多个激光器单元组成的二维半导体面发射激光器阵列，其中单个所述激光器单元包括：衬底；在衬底上设置的激光发光区，输出功率监测区，耦合输出区，和电极；以及光束整形区，设置于所述耦合输出区上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910546500.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法
- 下一篇：火花塞间隙调节设备
