[发明专利]一种基于DMOS管的电平转移电路及芯片在审
| 申请号： | 201910543567.6 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110149050A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫 | 申请（专利权）人： | 珠海市一微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于DMOS管的电平转移电路及芯片，包括电平输入电路和电平输出电路，电平输入电路包括电流镜反馈调节模块、电流镜结构和DMOS管对，电平输出电路包括旁路MOS管结构和相互耦合的正反馈结构MOS管对，电平输入电路通过DMOS管对的漏极直接耦接于电平输出电路内部的旁路MOS管结构的MOS管漏极，DMOS管对的源极耦接于电流镜结构内对应MOS管的漏极，电流镜反馈调节模块的电流输出端连接电流镜结构的输入端，电流镜反馈调节模块的反馈输入端连接电平输出电路内的旁路MOS管结构的MOS管漏极，旁路MOS管结构的源漏极连接正反馈结构MOS管对的源漏极，使得MOS管在不穿通的情况下实现电平快速转移。 | ||
| 搜索关键词： | 电平输出电路 漏极 旁路 电平输入电路 反馈调节模块 电流镜结构 电流镜 电平转移电路 源漏极 正反馈 耦接 芯片 电流输出端 反馈输入端 快速转移 输入端 耦合的 穿通 源极 | ||
【主权项】：
1.一种基于DMOS管的电平转移电路，包括：电平输入电路和电平输出电路，其特征在于，电平输入电路包括电流镜反馈调节模块、电流镜结构和一组DMOS管对，电平输出电路包括旁路MOS管结构和两个构成相互耦合的正反馈结构MOS管对，电流镜反馈调节模块包括反馈输入端和电流输出端，电流镜结构包括信号输入端；电平输入电路通过DMOS管对的漏极直接耦接于电平输出电路内部的旁路MOS管结构的MOS管漏极，DMOS管对的源极耦接于电流镜结构内部对应MOS管的漏极，电流镜反馈调节模块的电流输出端连接电流镜结构的信号输入端，电流镜反馈调节模块的反馈输入端连接电平输出电路内部的旁路MOS管结构的MOS管漏极，旁路MOS管结构的源极和漏极对应连接于正反馈结构MOS管对的源极和漏极；所述电平转移电路用于根据电流镜反馈调节模块的反馈调节作用，并结合电流镜反馈调节模块提供的镜像电流及旁路MOS管结构的导通作用，控制一组高压MOS管对的漏源电压，使得构成相互耦合的正反馈结构MOS管对在不产生穿通电流的前提下实现电平的快速转移；其中，当所述电平转移电路将输入的低压电源域信号转换为输出的高压电源域信号时，电平输入电路接入的电压域为低压电源域，电平输出电路接入的电压域为高压电源域；当所述电平转移电路将输入的高压电源域信号转换为输出的低压电源域信号时，电平输入电路接入的电压域为高压电源域，电平输出电路接入的电压域为低压电源域。
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