[发明专利]薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法

摘要

本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种薄膜电路用氧化铍抛光基片的制作方法。本发明包括如下步骤：A、氧化铍材料预处理，以降低粉料的比表面积，提高混料均匀性及一致性；B、瓷料的制备及喷雾造粒；C、干压预成型，再等静压成型；D、脱脂、熟烧一体烧结；E、基片减薄、找平、精磨；F、基片抛光。采用本发明制备的氧化铍陶瓷抛光基片具有热导率高、孔隙率低、基片表面清洁度、平整度、表面粗糙度较好(达到镜面效果)等特点，能够满足军民两用薄膜电路/器件对高导热陶瓷抛光基片高性能、高可靠性的发展需求，具有较强实用价值。

主权项

1.薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A、氧化铍原粉的预处理：(a).将氧化铍原粉装入承烧钵中，放入终温为1320℃～1350℃的连续式隧道窑中进行中温煅烧处理；(b).将煅烧后的氧化铍粉料按照质量比氧化铍粉料：氧化铍瓷球：去离子水：镁硅复合添加剂＝1:(4‑10):(1‑1.5)：(0.03‑0.05)加入球磨机中进行混合球磨，球磨时间≥12h；球磨后陶瓷浆料过200目‑350目筛网备用；B、喷雾造粒：按照质量比陶瓷浆料：10％PVA(聚乙烯醇PVB‑88)水溶液：正辛醇：鲱鱼油＝1:(0.03‑0.05)：0.05:(0.01～0.02)的比例加入搅拌球罐中，用20r/min‑40r/min的转速混合均匀，用去离子水调节浆料粘度，当浆料粘度达到30mPa·s‑50mPa·s时进行喷雾造粒，喷雾造粒料过筛后备成型使用，过筛后的造粒料粒径要求为40μm～120μm；C、干压预成型，再等静压成型：将造粒料取出放在干压机的料盒中，干压预成型氧化铍陶瓷基片；干压机预成型后，清除去掉生坯表面附着的陶瓷造粒料，然后用热合膜进行包裹，包裹后热塑封，放入冷等静压机进行等静压处理；D、脱脂、熟烧一次烧结：将步骤C得到的生坯取出，放在有氧化铍陶瓷垫片的承烧板上，生坯单层摆放在氧化铍陶瓷垫片上，生坯表面不涂覆任何隔粘粉，摆放好后，放入终温为1680℃‑1710℃的连续式隧道窑炉进行烧结，窑炉升温速率为150℃/h‑200℃/h，在1300℃‑1400℃保温4h‑6h；在1680℃‑1710℃保温2h‑6h；并在烧结完成后的6h‑10h内降温到室温；E、减薄、找平加工：(a).采用双面研磨机进行粗减薄，找平加工；(b).采用精密平面磨作为精减薄、找平作业；F、抛光：在双面研磨抛光机进行抛光作业，先粗抛作业，然后精抛作业。