[发明专利]用于压电电阻器传感器的N型注入电屏蔽件有效

专利信息
申请号: 201910515652.1 申请日: 2019-06-14
公开(公告)号: CN110608819B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: M·拉玛扎尼 申请(专利权)人: 迈来芯科技有限公司
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;G01L9/08;H01L41/113;H01L41/053
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 黄嵩泉;张鑫
地址: 比利时*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请公开了用于压电电阻器传感器的N型注入电屏蔽件。本发明涉及基于压电电阻器的传感器以及用于制造此类传感器的方法。该传感器至少包括被设置在柔性结构上的感测元件,该柔性结构诸如膜或悬臂等等,该感测元件包括至少一个压电电阻器,该压电电阻器至少包括柔性结构的掺杂有第一类型的掺杂剂原子的第一区域。柔性结构还包括该柔性结构内的第二掺杂区域,该第二掺杂区域至少部分地与第一掺杂区域重叠,由此形成屏蔽件,用于屏蔽感测元件免受外部电场干扰,其中,第二掺杂区域的掺杂剂原子具有与第一掺杂区域的掺杂剂原子的类型相反的第二类型,以供在该第一掺杂区域与第二掺杂区域之间的重叠区域处在柔性结构内生成电荷耗尽层。
搜索关键词: 用于 压电 电阻器 传感器 注入 屏蔽
【主权项】:
1.一种基于压电电阻器的传感器(100),至少包括被设置在柔性结构(101)上的感测元件,所述感测元件包括至少一个压电电阻器(201),所述压电电阻器(201)至少包括所述柔性结构(101)的、掺杂有第一类型的掺杂剂原子的第一区域(803),/n其中,所述柔性结构(101)还包括所述柔性结构(101)内的第二掺杂区域(807),所述第二掺杂区域(807)至少部分地与所述第一掺杂区域(803)重叠,由此形成屏蔽件(8)用于屏蔽所述感测元件免受外部电场干扰,其中,所述第二掺杂区域(807)的掺杂剂原子具有与所述第一掺杂区域(803)的掺杂剂原子的类型相反的第二类型,以供在所述第一掺杂区域(803)与所述第二掺杂区域(807)之间的重叠区域处在所述柔性结构(101)内生成电荷耗尽层(3)。/n
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