[发明专利]温度传感器、组件及温度测量方法有效

专利信息
申请号: 201910515151.3 申请日: 2019-06-14
公开(公告)号: CN110260999B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 张悦;张志仲;赵巍胜 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01K7/36 分类号: G01K7/36
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;任默闻
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提供一种温度传感器、组件及温度测量方法,通过设置亚铁磁斯格明子的亚铁磁薄膜层,然后利用亚铁磁斯格明子在不同温度下的自旋霍尔角度不同的特性,采用磁性隧道结捕捉斯格明子,进而实现对温度的精确测量,利用纳米尺度的亚铁磁斯格明子作为温度敏感元件,相较于热电偶温度传感器和热敏电阻传感器等更容易实现微型化,可以用于制造尺寸为微米级乃至纳米级的传感器。
搜索关键词: 温度传感器 组件 温度 测量方法
【主权项】:
1.一种温度传感器组件,其特征在于,包括:亚铁磁薄膜层,其包括一限定区域,所述限定区域中形成有亚铁磁斯格明子;电流导入层,可向所述亚铁磁薄膜层的限定区域中导入自旋极化电流;若干第一绝缘柱,设于所述亚铁磁薄膜层远离所述电流导入层的一侧表面,并位于所述限定区域中的设定位置上;以及若干第一磁性层,与每个所述第一绝缘柱一一对应,并设于所述第一绝缘柱远离所述亚铁磁薄膜层的一侧表面上;其中,每个所述第一绝缘柱具有可与所述亚铁磁薄膜层以及对应的第一磁性层共同形成第一磁性隧道结的第一厚度;并且外部的电流检测组件可对每个第一磁性层施加设定电压,并采集该设定电压下形成的电流,进而可根据形成变化电流的第一磁性层对应第一绝缘柱的设定位置生成温度值。
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