[发明专利]一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910506034.0 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110106490B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李晓娜;毕林霞;利助民;王清 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;C22C30/00 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 花向阳 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法，属于高熵合金、耐高温技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWV |
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| 搜索关键词： | 一种 耐高温 合金 nbmotawv 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜，其特征是：耐高温高熵合金薄膜具有如下通式：NbMoTaWVx，x=0～2，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1: x；呈纳米柱状晶形态，单相BCC结构；该耐高温高熵合金薄膜使用射频磁控溅射技术制备，其电阻率在45～100.0![]()
区间连续变化，硬度在7～15Gpa区间连续变化。
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