[发明专利]一种双频段超材料吸波器及折射率传感器有效

专利信息
申请号: 201910481988.0 申请日: 2019-06-04
公开(公告)号: CN110187420B 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 龚鹏宇;邱彩玉;朱蓉蓉;郑斌;王璐璐;王万军 申请(专利权)人: 余姚市万邦电机有限公司;浙江大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;G01N21/41
代理公司: 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 代理人: 胡文莉
地址: 315450 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种双频段超材料吸波器,包括多个单元结构,多个单元结构以方阵形式周期性排列;单元结构包括金属平面基底、SiO2圆柱体、单层MoS2薄膜,金属平面基底上以方阵形式周期性设置多个SiO2圆柱体,单层MoS2薄膜覆盖于SiO2圆柱体上。该双频段超材料吸波器在可见光范围内实现两个吸收带,最大吸收率高达99.9%。通过调整结构参数,可调节该双频段超材料吸波器吸收峰的频段。本发明还提供一种折射率传感器,广泛应用于检测环境变化的场合中,如检测湿度,化学品,压力等。并且该折射率传感器具有在可见光和近红外光谱范围中应用的巨大潜力,例如波长选择性光电探测器和等离子体传感器。
搜索关键词: 一种 双频 材料 吸波器 折射率 传感器
【主权项】:
1.一种双频段超材料吸波器,其特征在于,包括多个单元结构,多个单元结构以周期性排列;每个所述的单元结构包括金属平面基底、SiO2圆柱体、单层MoS2薄膜,所述的金属平面基底上以周期性设置多个SiO2圆柱体,单层MoS2薄膜覆盖于SiO2圆柱体顶部上。
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