[发明专利]具有高隔离度的低功率高动态范围的基于有源混频器的微波下变频器在审
| 申请号： | 201910481032.0 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110572131A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | Y·达瓦赫卡;A·巴蒂亚;S·玛克赫吉 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/16 | 分类号： | H03D7/16 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种具有高隔离度的低功率高动态范围的基于有源混频器的微波下变频器。一种下变频器(100)，其包括：第一(140A)和第二(140B)偏置电路；混频器(120)；以及变压器(150)，其被耦合以接收放大器输出信号(RF信号115)。第一和第二偏置电路分别各自包括偏置晶体管(M1；M4)以及第一(111)和第二(121)节点。混频器包括耦合到第一节点的第一(M2)和第二(M3)晶体管以及耦合到第二节点的第三(M5)和第四(M6)晶体管。第二和第四晶体管耦合到第三节点(131)。第一和第三晶体管耦合到第四节点(141)。混频器还包括耦合到第四节点及电源电压节点(Vdd 105)的第一电阻器(R1)以及耦合到第三节点及电源电压节点的第二电阻器(R2)。变压器包括：初级绕组(154)，其被耦合以接收放大器输出信号并且耦合到电源电压(Vdd105)；以及次级绕组(156)，其在第一节点处耦合到混频器和第一偏置电路，并且在第二节点处耦合到混频器和第二偏置电路。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合到 混频器 偏置电路 电源电压节点 接收放大器 晶体管耦合 输出信号 耦合 电阻器 节点处 晶体管 变压器 微波下变频器 偏置晶体管 初级绕组 次级绕组 电源电压 高隔离度 下变频器 低功率 高动态 申请 | ||
【主权项】：
1.一种下变频器，其包含：/n第一偏置电路，其包含第一偏置晶体管和第一节点；/n第二偏置电路，其包含第二偏置晶体管和第二节点；/n混频器，其包含：/n第一电阻器，/n第二电阻器，/n第一晶体管和第二晶体管，其在所述第一节点处耦合在一起并且耦合到所述第一偏置电路，/n第三晶体管和第四晶体管，其在所述第二节点处耦合在一起并且耦合到所述第二偏置电路，/n其中所述第二晶体管和所述第四晶体管在第三节点处耦合在一起，所述第一晶体管和所述第三晶体管在第四节点处耦合在一起，所述第一电阻器耦合到所述第四节点并且耦合到电源电压节点，并且所述第二电阻器耦合到所述第三节点并且耦合到所述电源电压节点；以及/n变压器，其被耦合以接收放大器输出信号并且耦合到所述混频器，所述变压器包含初级绕组和次级绕组，其中所述初级绕组被耦合以接收所述放大器输出信号并且耦合到电源电压，并且所述次级绕组在所述第一节点处耦合到所述混频器和所述第一偏置电路，并且在所述第二节点处耦合到所述混频器和所述第二偏置电路。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910481032.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于扩频的双端口平面谐波混频器
- 下一篇：一种射频功率放大器
