[发明专利]一种基于SPAD的高速图像传感器像素结构在审
申请号: | 201910454960.8 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN110213511A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 高静;牛洪星;聂凯明;徐江涛 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种基于SPAD的高速图像传感器像素结构,包括:第一检测处理电路,用于检测光子的第一雪崩光电二极管APD及用于通过反馈回路输出对第一雪崩光电二极管APD进行淬灭的第一淬灭电路;第二检测处理电路,用于检测光子的第二雪崩光电二极管及用于通过反馈回路输出对第二雪崩光电二极管APD进行淬灭的第二淬灭电路;本发明通过在基于SPAD的图像传感器中的像素内增加一个雪崩光电二极管和淬灭电路,可使两个雪崩光电二极管在对方进入死时间时交替探测入射光子,可提高图像传感器的成像速度。 | ||
搜索关键词: | 雪崩光电二极管 淬灭 光子 高速图像传感器 图像传感器 电路 处理电路 反馈回路 像素结构 检测 输出 第二检测 入射 像素 成像 探测 | ||
【主权项】:
1.一种基于SPAD的高速图像传感器像素结构,其特征在于,包括:第一检测处理电路,用于检测光子的第一雪崩光电二极管APD及用于通过反馈回路输出对第一雪崩光电二极管APD进行淬灭的第一淬灭电路;第二检测处理电路,用于检测光子的第二雪崩光电二极管及用于通过反馈回路输出对第二雪崩光电二极管APD进行淬灭的第二淬灭电路;第一雪崩光电二极管进入死时间时,所述第二雪崩光电二极管开始检测光子,所述第二雪崩光电二极管APD进行死时间时,所述第一雪崩光电二极管开始检测光子,如此交替循环检测,直到时序结束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910454960.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。