[发明专利]外腔可调谐激光器及波长调谐方法在审

专利信息
申请号: 201910450586.4 申请日: 2019-05-28
公开(公告)号: CN110137800A 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 陈伟;班德超;祝宁华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/14 分类号: H01S5/14;H01S5/024;H01S5/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李佳
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法,属于激光器技术领域。其中,所述外腔可调谐激光器,包括:取样波导光栅、依次按顺序放置于取样波导光栅一侧的半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜;所述半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜以及取样波导光栅位于同一光轴上;其中,所述半导体增益芯片依次包括取样光栅区、调相区、增益区以及分别覆盖于所述取样光栅区、调相区、增益区上方的第一电极、第二电极以及第三电极,所述增益区与所述第一准直透镜相邻,所述取样波导光栅上方覆盖有第四电极。本发明实现了激光器波长快速、大范围、精细的调谐,并且可以压窄输出波长。
搜索关键词: 准直透镜 波导光栅 取样 外腔可调谐激光器 半导体增益芯片 增益区 波长调谐 取样光栅 调相区 激光器技术领域 调谐 激光器波长 第二电极 第三电极 第一电极 输出波长 顺序放置 同一光轴 电极 覆盖 精细
【主权项】:
1.一种外腔可调谐激光器,其特征在于,包括:取样波导光栅、依次按顺序放置于取样波导光栅一侧的半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜;所述半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜以及取样波导光栅位于同一光轴上;其中,所述半导体增益芯片依次包括取样光栅区、调相区、增益区以及分别覆盖于所述取样光栅区、调相区、增益区上方的第一电极、第二电极以及第三电极,所述增益区与所述第一准直透镜相邻,所述取样波导光栅上方覆盖有第四电极。
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