[发明专利]聚硅氧烷类化合物、包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物有效
| 申请号： | 201910448499.5 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110606954B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 金东铉;朴贤宇;李斗元;曹长佑;李明镐 | 申请（专利权）人： | 易案爱富科技有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/28 | 分类号： | C08G77/28;C08G77/30;C08G77/26;C09K13/06;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了聚硅氧烷类化合物，包含所述聚硅氧烷类化合物的对氮化硅层有选择性的蚀刻组合物，以及制造包含所述蚀刻组合物的半导体器件的方法，其中根据本发明的包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物可以相对于氧化硅层选择性地蚀刻所述氮化硅层，并且具有非常优良的蚀刻选择比，并且即使当使用所述组合物的时间增加或反复使用所述组合物时，对氮化硅层的蚀刻速率变化小且蚀刻选择比的变化小。 | ||
| 搜索关键词： | 聚硅氧烷类 化合物 包含 述聚硅氧烷类 氮化 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1.一种由以下化学式1表示的聚硅氧烷类化合物：/n[化学式1]/n
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