[发明专利]OPC修正方法及OPC修正系统有效
申请号: | 201910385297.0 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110058485B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 乔彦辉;李林;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种OPC修正方法及一种OPC修正系统,所述OPC修正方法包括:提供待修正的版图图形的集成电路版图以及亚分辨率辅助图形与待修正的版图图形之间的最小间距;选择待修正的版图图形中的若干个作为目标图形,目标图形之间具有冲突区;将目标图形的边界以所述最小间距往外放大形成膨胀层,冲突区透过膨胀层形成暴露区域;在暴露区域添加亚分辨率辅助图形。本发明提供的OPC修正系统包括:存储模块、选择模块、图形变换模块以及修正模块。本发明提供的OPC修正方法在目标图形的冲突区内限定一可以设置亚分辨率辅助图形的暴露区域,在所述暴露区域可以有效并准确地形成亚分辨率辅助图形而不会产生交集。 | ||
搜索关键词: | opc 修正 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种OPC修正方法,其特征在于,包括:提供一集成电路版图,所述版图包括多个待修正的版图图形,待添加的亚分辨率辅助图形与所述待修正的版图图形之间具有一最小间距;选择所述多个待修正的版图图形中的若干个作为目标图形,所述目标图形之间具有冲突区,在所述冲突区形成的所述目标图形的亚分辨率辅助图形之间具有交集;将所述目标图形的边界以所述最小间距往外放大,形成膨胀层,所述冲突区透过所述膨胀层形成暴露区域;以及在所述暴露区域添加亚分辨率辅助图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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